可控硅直接由交流220v变直流24v不合适，因为这样可控硅的导通角就要非常小，内因此输容出的直流脉动非常大，不适合一般电子电器电路的使用。
理想的办法是先用一个变压器降压，再整流，具体采用什么电路还要看需要：
1）对波形有没有要求--考虑滤波；
2）对电压的稳定有没有要求--考虑稳压；
3）是否要调压并且电流多大--考虑用什么元件，小电流的用普通三极管，大电流考虑用可控硅﹍，总之要考虑的方面很多。
三个脚是要测量的，才可以知道怎么接，三脚分别用字母K A G表示，k接正极，a接负极，g为电源控制极
是的，如果复用作交流制开关，该西门康模块的 1脚接火线的一端，而2脚、3脚并联后，再一起接火线的另一端。相当于两只可控硅 反并联。可控硅导通时的压降大约1.2V左右，所以，这点电压降对线路影响很小。但是，如果不做通断控制，而是进行相位控制的话，电压降就看触发角了。
固态继电器的接线图:
固态继电器工作原理:
固态继电器是用半导体器件代替传统电接点作为切换装置的具有继电器特性的无触点开关器件，单相SSR为四端有源器件，其中两个输入控制端，两个输出端，输入输出间为光隔离，输入端加上直流或脉冲信号到一定电流值后，输出端就能从断态转变成通态。
交流固态继电器按开关方式分有电压过零导通型（简称过零型）和随机导通型（简称随机型）
按输出开关元件分有双向可控硅输出型（普通型）和单向可控硅反并联型（增强型）。
按安装方式分有印刷线路板上用的针插式（自然冷却，不必带散热器）和固定在金属底板上的装置式（靠散热器冷却）。
另外输入端又有宽范围输入（DC3~32V）的恒流源型和串电阻限流型等。
SSR固态继电器以触发形式，可分为零压型（Z）和调相型（P）两种。
在输入端施加合适的控制信号IN时，P型SSR立即导通。当IN撤销后，负载电流低于双向可控硅维持电流时（交流换向），SSR关断。Z型SSR内部包括过零检测电路，在施加输入信号IN时，只有当负载电源电压达到过零区时，SSR才能导通，并有可能造成电源半个周期的最大延时。Z型SSR关断条件同P型，但由于负载工作电流近似正弦波，高次谐波干扰小，所以应用广泛。
因此增强型固态继电器HS系列比普通型SSR的换向dv/dt指标提高了5~20倍。由于采用两只大功率单向可控硅反并联，改变了电流分配和导热条件，提高了SSR输出功率。增强型SSR在大功率应用场合，无论是感性负载还是阻性负载，耐电压、耐电流冲击及产品的可靠性，均超过普通固态继电器。
gg右上端AC220V接交copy流电源上，有保险丝应是电源输入端，右下端绕组应该是用电器，RTD是热敏电阻，用来获取用电器的温度信息的，接温控器的5、6、7接线端，9接线端好象是接继电器控制线圈，可控硅的G脚接温控器的23接线端，T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。 双向可控硅的作用是相当于电闸，本电路是用温度感应来控制可控硅的通断的，从而来控制电器是否工作的（本电路没接过，只是读原理图而已）。
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一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
不同型号的可控硅模块内部连接方式不同，线路图也不同，具体见下面图片：
维修可控硅电路是来需要理源论基础的，因为它即涉及电子电路技术又涉及高压带电操作的安全技术，如果没有把握就不要弄了，真的很危险的。另外，查找电子元件的参数应该移步“网络一下”在网络上擦找，下面是元件引脚图：
gg右上端AC220V接交流电源上，有保险丝应是电源输入端，右下端绕组应该是用电器，RTD是热敏电阻，用来获取用电器的温度信息的，接温控器的5、6、7接线端,.,我这 问题我答过了，呵呵
