内容简介
本工程位于北京市海淀区清华东路甲35号,中国科学院半导体研究所家属院内北侧、北临林学院北路,建筑面积16931.01㎡(地上15015.24㎡;地下1765.26㎡),±0.00的绝对标高为48.65m,室内外高差0.45m。地下一层;地上A段十层、B段七层,且均有地下夹层,全现浇剪力墙结构,8度近震设防。
内容简介
本工程位于北京市海淀区清华东路甲35号,中国科学院半导体研究所家属院内北侧、北临林学院北路,建筑面积16931.01㎡(地上15015.24㎡;地下1765.26㎡),±0.00的绝对标高为48.65m,室内外高差0.45m。地下一层;地上A段十层、B段七层,且均有地下夹层,全现浇剪力墙结构,8度近震设防。